报告题目（Title）：基于荧光碳化硅的白光源及碳化硅在光电子领域应用的展望
报 告 人（Speaker）：欧海燕 副教授 (丹麦技术大学)
报告时间（Time）： 2019年7月18日（周四）14：00
报告地点（Place）：校本部E106
邀请人（inviter）：查访星
摘要（Abstract）：碳化硅具有宽禁带，高折射率，高热导率等优良的物理特性，已在功率器件，和在高温，高压，高频条件下工作的器件中获得广泛的应用。碳化硅是间接带隙半导体材料，本身发光较弱，但我们通过重掺杂引入施主-受主对复合发光和多孔碳化硅的发光改良了碳化硅的发光特性。目前，通过混合硼氮施主-受主对发的黄光和多孔碳化硅发的蓝光实现了显色指数高达82的白光。这种新型的基于荧光碳化硅的白光源，不含稀土元素，在价格和显色指数上具有优势。碳化硅的高折射率，高的二阶和三阶非线性，和高的热导率预示着它是一种比较理想的集成光学材料。通过智能切割（smart-cut）的方法，可以实现SiCOI的结构，并在此结构上，利用我们精准的纳米制备技术，制备出了品质因子（Q）最高的微环。这些碳化硅发光和波导方面的原创性前期工作，为发掘碳化硅在光电领域应用的重点方向奠定了基石。最近，碳化硅中的缺陷发光也让其在日益兴起的量子光源的研究中占有重要角色。本报告将具体介绍碳化硅在发光方面的研究，并对其在集成光学和单光子源方面的应用进行展望。
