报告题目（Title）：二维材料及其异质结的光电性质与器件物理研究
报 告 人（Speaker）：谭德志 博士（浙江大学光电科学与工程学院）
报告时间（Time）：2019年4月16日（周二）10：00
报告地点（Place）：校本部G309
邀请人（inviter）：戴晔
报告摘要（Abstract）：
以石墨烯和过渡金属二硫化物为代表的二维材料无疑是目前材料与物理等领域的研究热点，优异的物理性质使其有望成为后摩尔时代的基础光电子材料；而层出不穷的新物理现象的发现以及新二维材料的成功制备更是催生了材料和物理领域一波又一波的研究热潮。此外，通过各种不同二维材料的组合，形成具有超净界面和强耦合作用的二维异质结，从而为新型光电器件的提供原子层厚度的物质基础。
在本次报告中，我将主要从石墨烯和过渡金属二硫化物的能级结构出发，简要介绍其独特的光电学特性。本人的工作主要集中在纯电学控制二维异质结的电子输运特性，以探究其在谷电子学和自旋电子学等方面的应用。本人发现，低电子迁移率电子器件也可以表现出量子霍尔效应。在远低于磁场强度阈值的条件下，本人在二维异质结器件中观察到了磁阻震荡现象。我还观察到了强谷间散射所导致的弱局域化现象，并发现这种弱局域化可保持到200 K。
我还将简要介绍在新型二维材料（如GeSe和GeS）的制备，光学性质及其在光电探测应用等方面得研究，并将介绍本人在各种二维异质结结构的构建方法[湿法转移（如PMMA法，PPC法），干法转移(如PDMS法，PPC法等），hBN捡起法等方面的经验。
